用埋藏電極刺激清醒動(dòng)物結(jié)節(jié)區(qū)水平的丘腦外側(cè)區(qū)，則導(dǎo)致食物攝入量增加而過度進(jìn)食；而損毀此區(qū)域后，則動(dòng)物長期不能自發(fā)進(jìn)食，即使身旁放有食物，也拒絕食用，最終可以餓死。此區(qū)域稱為攝食中樞。與此相反，在同一水平刺激下丘腦內(nèi)側(cè)區(qū)，尤其是刺激含腹內(nèi)側(cè)核的部分，則導(dǎo)致動(dòng)物引起飽感、拒食；損毀此區(qū)域后，動(dòng)物產(chǎn)生對(duì)食物貪婪而難以滿足的食欲，食物攝入量可比正常多2～3倍，因而逐漸肥胖，此區(qū)域稱為飽中樞（satietycenter）。飽中樞可以抑制攝食中樞的活動(dòng)。應(yīng)用微電極分別插入動(dòng)物的攝食中樞及飽中樞區(qū)域內(nèi)，記錄他們的神經(jīng)元放電活動(dòng)情況，發(fā)現(xiàn)動(dòng)物在饑餓時(shí)，攝食中樞區(qū)域神經(jīng)元放電頻率增多，而飽中樞區(qū)域神經(jīng)元放電頻率較少；靜脈注入葡萄糖后，則攝食中樞區(qū)域神經(jīng)元放電頻率減少，而飽中樞區(qū)域神經(jīng)元放電頻率增多。說明攝食中樞與飽中樞的神經(jīng)元活動(dòng)具有相互制約的關(guān)系，而且這些神經(jīng)元對(duì)血糖水平敏感。